【摘要】 本发明公开了一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。该存储器包括一下电极、一绝缘层、一存储单元及一上电极。绝缘层设置于下电极上。绝缘层具有一开口，开口具有一第一宽度。存储单元具有一有源区，有源区位于开口内且露出的部分具有一第二宽度，且第二宽度小于第一宽度。上电极耦接存储单元。本发明所披露的电阻式随机存取存储器及其制造方法，以形成硬掩模配合干蚀刻形成开孔的方式取代光掩模工艺，可以突破曝光机台解析度的极限以形成小面积的存储单元。 该数据由<>整理 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810074075.9 【申请日】2008-02-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101388435B 【公开公告日】2010-09-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101388435B 【授权公告日】2010-09-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L45/00; H01L27/24; H01L27/10; H01L27/115; G11C13/00; G11C11/56; G11C16/02 【发明人】李明道; 何家骅; 赖二琨; 谢光宇 【主权项内容】一种电阻式随机存取存储器，包括：一下电极；一绝缘层，设置于该下电极之上，该绝缘层具有一开口，该开口具有一第一宽度；一存储单元，该存储单元具有一有源区，该有源区位于该开口内且露出的部分具有一第二宽度，其中该第二宽度小于该第一宽度；以及一上电极，耦接该存储单元。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【引证次数】5.0 【自引次数】2.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】9.0 【家族被引证次数】13
