【摘要】 一种芯片封装结构及其制造方法。芯片封装结构包括散热基板、芯片及异质接合导热缓冲层。芯片配置于散热基板上。异质接合导热缓冲层配置于散热基板与芯片之间。异质接合导热缓冲层包括多个垂直于散热基板配置的柱状体，且各柱状体的深宽比介于约3∶1到50∶1之间。 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810185205.6 【申请日】2008-12-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752328A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L23/367; H01L21/50 【发明人】谢瑞青; 张平; 陈重德; 潘力齐; 王郁仁; 王钦宏 【主权项内容】一种芯片封装结构，其特征在于：该结构包括：散热基板；芯片，配置于该散热基板上；以及异质接合导热缓冲层，配置于该散热基板与该芯片之间，其中该异质接合导热缓冲层包括多个垂直于该散热基板配置的柱状体，且各该柱状体的深宽比介于3∶1到50∶1之间。。 【当前权利人】财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【引证次数】4.0 【被引证次数】5 【他引次数】4.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】5
