【摘要】 本发明涉及一种铜合金靶材的制造方法，其包括：形成一靶材初坯；以及将靶材初坯在500-850℃区间进行热机处理或热退火处理，以令所制成的靶材中化合物相小于整体靶材面积的25％。本发明涉及一种铜合金靶材；本发明还涉及一种薄膜，其是使用如上所述的铜合金靶材经由溅镀所形成的；本发明另关于一种太阳能电池，其包含如上所述的薄膜。通过本发明(近)单相组织的铜合金靶材，使其应用于溅镀过程中不会诱发微电弧现象，而且也因着靶材(近)单相组织，使得靶材表面各处的溅镀速度相等，促使形成的薄膜成分均匀，故能提升薄膜质量及良率。 微信 【专利类型】发明申请 【申请人】光洋应用材料科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台南市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810174332.6 【申请日】2008-11-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101736289A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101736289B 【授权公告日】2012-06-27 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C23C14/14; C23C14/34; C22C9/00; C22F1/08 【发明人】黄威智; 杜承鑫 【主权项内容】一种铜合金靶材的制造方法，其包括：形成一靶材初胚，其组成为CuxGa1-x，其中上述x是以原子百分比表示，x＝0.71-0.78；以及将靶材初胚在500-850℃的温度区间进行热机处理或热退火处理，以制成组成为CuxGa1-x的靶材，其中上述x是以原子百分比表示，x＝0.71-0.78，而化合物相面积小于整体靶材面积的25％，所述热机处理或热退火处理为步骤(I)、步骤(II)或其组合，其中，步骤(I)是将靶材初胚在500-850℃区间进行热机处理；步骤(II)是将靶材初胚在500-850℃下进行热退火0.5-5小时；之后再冷却至常温，以得到组成为CuxGa1-x的铜合金靶材。 【当前权利人】光洋应用材料科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台南市 【引证次数】3.0 【被引证次数】6 【他引次数】3.0 【被自引次数】3.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】6
