【摘要】 本发明提供一种非易失性存储器及其数据保护方法。所述非易失性存储器 包括，不可见的第一存储区、可见的第二存储区、控制逻辑模块和保护码设置 模块，第一存储区中设置有至少一个标志位，每个标志位用于标识对应的保护 码是否已经设置，保护码用于指示第二存储区中的受保护区域，其中：保护码 设置模块，用于设置保护码；控制逻辑模块，用于根据保护码确定第二存储区 中受擦除保护的第一保护区和受写入保护的第二保护区，并在接收到对第一保 护区中的存储单元进行擦除的指令时，不执行该擦除指令，在接收到对第二保 护区中的存储单元进行写入的指令时，不执行该写入指令。依照本发明，能够 有效地防止非易失性存储器中存储的程序被抄袭。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京芯技佳易微电子科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100084北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810118471.7 【申请日】2008-08-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661796A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101661796B 【授权公告日】2012-02-29 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G11C16/22; G11C16/06 【发明人】朱一明; 胡洪 【主权项内容】1.一种非易失性存储器，包括，不可见的第一存储区、可见的第二存储 区和控制逻辑模块，其特征在于，所述非易失性存储器中还包括保护码设置 模块，所述第一存储区中设置有至少一个标志位，每个标志位用于标识对应 的保护码是否已经设置，所述保护码用于指示所述第二存储区中的受保护区 域，其中： 所述保护码设置模块，用于在接收到写入保护码的指令时，读取所述写入 保护码的指令对应的标志位，判断所述对应的标志位是否为预设值，若是，不 执行所述写入保护码的指令，否则，将相应的保护码写入到所述第一存储区， 并将所述对应的标志位设置为预设值； 所述控制逻辑模块，用于根据所述第一存储区中存储的保护码确定所述第 二存储区中受擦除保护的第一保护区和受写入保护的第二保护区，并在接收到 对所述第一保护区中的存储单元进行擦除的指令时，不执行该擦除指令，在接 收到对所述第二保护区中的存储单元进行写入的指令时，不执行该写入指令。 【当前权利人】兆易创新科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101 【被引证次数】9 【被他引次数】9.0 【家族被引证次数】9
