【摘要】 本发明提供一种薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板、显示面板及光电装置。所述的薄膜晶体管，其配置于一基板上。此薄膜晶体管包括一栅极、一介电层、一半导体层、一源极以及一漏极。此外，介电层具有至少一第一介电区块以及至少一第二介电区块。栅极形成于基板上，介电层形成于基板上且覆盖栅极，半导体层则形成于部份介电层上。源极及漏极分别形成于半导体层的部份区域上，以使得位于第一介电区块上方的半导体层未被源极与漏极覆盖，而位于第二介电区块上方的半导体层被源极与漏极覆盖。因此，此薄膜晶体管具有良好的电性。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810125691.2 【申请日】2008-06-20 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101299441B 【公开公告日】2010-09-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101299441B 【授权公告日】2010-09-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/786; H01L29/417; H01L27/12; H01L23/522; H01L21/84; H01L21/768; H01L21/336 【发明人】李豪捷; 朱庆云 【主权项内容】一种薄膜晶体管，配置于一基板上，其特征在于，该薄膜晶体管包括：一栅极，形成于所述的基板上；一介电层，形成于基板上且覆盖所述的栅极，且该介电层具有至少一第一介电区块以及至少一第二介电区块；一半导体层，形成于部份所述的介电层上；以及一源极与漏极，分别且全部形成于所述的半导体层的部分区域上，以使得位于所述的第一介电区块上方的半导体层未被所述的源极与漏极覆盖，而位于所述的第二介电区块上方的半导体层被所述的源极与漏极覆盖；其中，所述的第一介电区块的介电常数大于所述的第二介电区块的介电常数；所述的第一介电区块的图案以及所述的第二介电区块的图案互补。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【家族被引证次数】2
