【摘要】 本发明提供光电元件粗化结构、粗化表面、粗化层及其制造方法。本发 明提供一种具有双重尺度粗化结构的光电元件，其在光电元件的半导体层外 延过程中，通过高浓度掺杂杂质，以使此半导体层成长出多个岛体。随后， 降低外延温度以持续在多个岛体上形成多个针孔，其中针孔分布于岛体的顶 部与侧面，可大幅降低光线在光电元件内部的全反射率，进而增加光电元件 的光强表现。而和传统技术相比较而言，本发明提出的工艺具有低污染、工 艺简单、成本低廉、光取出效率更佳、双重尺度出光面的有效面积较大等等 优势。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】先进开发光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810134490.9 【申请日】2008-07-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101640235A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101640235B 【授权公告日】2011-11-16 【授权公告年份】2011.0 【发明人】叶颖超; 黄世晟; 涂博闵; 林文禹; 吴芃逸; 詹世雄 【主权项内容】1.一种光电元件粗化结构，包含： 多个岛体，分布于该光电元件的半导体层上；以及 多个针孔，分布于该多个岛体的顶部与侧面。 【当前权利人】展晶科技(深圳)有限公司; 荣创能源科技股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号; 中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
