【摘要】 本发明公开了一种CMOS串联比较器、单端COMS反相器及其各自的控制方法的控制方法；所述CMOS串联比较器的控制方法包括：所述CMOS串联比较器包含一单端CMOS反相器，所述单端CMOS反相器是由一NMOS及一PMOS互相耦合而成，该控制方法包括：提供一偏压电流至该NMOS，以提升该CMOS串联比较器的一共模电压。 【专利类型】发明授权 【申请人】盛群半导体股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市科学工业园区研新二路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810000697.7 【申请日】2008-01-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101488755B 【公开公告日】2010-12-29 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101488755B 【授权公告日】2010-12-29 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H03M1/34; H03K19/20 【发明人】陈议诚; 蔡明棋 【主权项内容】一种CMOS串联比较器的控制方法，所述CMOS串联比较器包含一单端CMOS反相器，所述单端CMOS反相器是由一NMOS及一PMOS互相耦合而成，其特征在于，所述控制方法包括：提供一偏压电流至所述NMOS，以提升所述CMOS串联比较器的一共模电压。。该数据由<>整理 【当前权利人】盛群半导体股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市科学工业园区研新二路3号 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】2
