【摘要】 本发明公开了一种硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)型与非门闪存的擦除法，包括由栅极施加一初始电压至存储单元的衬底一预定期间，以降低存储单元的阈值电压。此外，该方法也包括由栅极施加一连串的电压至存储单元的衬底，以进一步降低存储单元的阈值电压，其中该一连串的电压中的一后续电压的大小是小于该一连串的电压中的一先前电压的大小。 【专利类型】发明申请 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810170343.7 【申请日】2008-10-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101692350A 【公开公告日】2010-04-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101692350B 【授权公告日】2012-02-15 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G11C16/04; G11C16/14; G11C16/06 【发明人】吕函庭 【主权项内容】一种操作一介电电荷捕捉存储单元的方法，该介电电荷捕捉存储单元具有一阈值电压且包括一衬底，该衬底包括一信道区、位于该信道区上的一介电电荷捕捉结构以及位于该介电电荷捕捉结构上的一栅极，其特征在于，该方法包括：由该栅极施加一初始电压至该存储单元的该衬底一预定期间，以降低该存储单元的该阈值电压；以及由该栅极施加一连串的电压至该存储单元的该衬底，以进一步降低该存储单元的该阈值电压，其中该一连串的电压中的一后续电压的大小是小于该一连串的电压中的一先前电压的大小。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【引证次数】3.0 【被引证次数】7 【他引次数】3.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】17.0 【家族被引证次数】12
