【摘要】 本发明披露了一种具有抑制噪声功能的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包含一晶片、设在晶片的有源表面上的至少第一焊垫及至少第二焊垫、设在晶片的有源表面上并暴露出第一焊垫及第二焊垫的一绝缘层、设在绝缘层上并电性连接第一焊垫的第一导电层、设在第一导电层上的一介电层、设在介电层上并电性连接第二焊垫的第二导电层、位于第一导电层与第二导电层中的至少一者的多个周期性排列的图案化区域、以及连接至少两个图案化区域的至少一导电线路。本发明可以抑制半导体元件在运作时所产生的噪声，以使半导体元件达到更良好的电性效能。 【专利类型】发明授权 【申请人】日月光半导体制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810097054.9 【申请日】2008-05-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101271874B 【公开公告日】2010-08-18 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101271874B 【授权公告日】2010-08-18 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L23/485; H01L23/58; H01L21/60 【发明人】王陈肇; 王维中 【主权项内容】一种具有抑制噪声功能的半导体元件，包含：一晶片，其具有一有源表面；至少一个第一焊垫，设于该晶片的该有源表面上；至少一个第二焊垫，设于该晶片的该有源表面上；一绝缘层，位于该有源表面上并暴露出该第一焊垫和该第二焊垫；第一导电层，设于该绝缘层上，并电性连接该第一焊垫和该第二焊垫；一介电层，设于该第一导电层上；第二导电层，设于该介电层上，并电性连接该第一焊垫和该第二焊垫；多个周期性排列的图案化区域，由该第一导电层与该第二导电层中的至少一者形成；以及至少一导电线路，连接至少二个该图案化区域。 【当前权利人】日月光半导体制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾 【家族被引证次数】5
