【摘要】 本发明提供一半导体集成电路装置的制造方法，包括：形成一第一阱于半导体基底中；提供一第一栅极结构于半导体基底上，且第一栅极结构延伸离开半导体基底，其中包括提供一应力源于第一栅极结构中，应力源提供一第一应力于第一阱中，且还包括提供一第一栅极电极于第一栅极结构中并位于第一阱上且介于应力源与半导体基底之间；形成一第二阱于半导体基底中；提供一第二栅极结构于半导体基底上，第二栅极结构比第一栅极结构高，且其包括一第二栅极电极位于第二阱上；以及形成一材料层其与第二栅极结构接触且产生一第二应力于第二阱中。通过本发明的半导体集成电路装置及其制造方法能够对晶体管沟道施加所需的张应力或压应力。 【专利类型】发明申请 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN201010004653.9 【申请日】2008-03-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101770987A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101770987B 【授权公告日】2012-06-13 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/8238; H01L21/28 【发明人】柯志欣; 李文钦; 葛崇祜; 陈宏玮 【主权项内容】一种半导体集成电路装置的制造方法，包括：形成一第一阱于半导体基底中；提供一第一栅极结构于该半导体基底上，且该第一栅极结构延伸离开该半导体基底，其中包括提供一应力源于该第一栅极结构中，该应力源提供一第一应力于该第一阱中，且还包括提供一第一栅极电极于该第一栅极结构中并位于该第一阱上且介于该应力源与该半导体基底之间；形成一第二阱于该半导体基底中；提供一第二栅极结构于该半导体基底上，该第二栅极结构比该第一栅极结构高，且其包括一第二栅极电极位于该第二阱上；以及形成一材料层，其与该第二栅极结构接触且产生一第二应力于该第二阱中。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】3.0 【自引次数】2.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】20
