【摘要】 一种去除正面化学气相沉积层二氧化硅膜的方法，该方法是首先将硅片用真空吸盘固定好，采用人工贴附的方法将环形塑料蓝膜粘附到硅片和吸盘表面，将硅片不需要去除背封SiO2膜的部分保护起来，然后将其置于HF酸蒸汽中，去除正面背封二氧化硅膜。本发明的优点是：由于蓝膜边缘粘附于吸盘的表面，将硅片的背面与HF蒸汽源完全隔绝，可以精确控制HF酸蒸汽的去除时间，以完全去除正面的SiO2膜，而不至于影响到背面的SiO2膜；放弃使用蜡液，从而避免蜡蒸汽对环境的影响；易于操作，将大大提高生产效率。。： 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院; 有研半导体材料股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810239404.0 【申请日】2008-12-08 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752243A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752243B 【授权公告日】2011-07-06 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/311; H01L21/02 【发明人】刘佐星; 孙洪波 【主权项内容】一种去除正面化学气相沉积层二氧化硅膜的方法，其特征在于：首先将硅片用真空吸盘固定好，采用人工贴附的方法将环形塑料蓝膜粘附到硅片和吸盘表面，将硅片不需要去除背封SiO2膜的部分保护起来，然后将其置于HF酸蒸汽中，去除正面背封二氧化硅膜。 【当前权利人】有研半导体硅材料股份公司 【当前专利权人地址】北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧 【专利权人类型】股份有限公司 【被引证次数】10 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】10
