【摘要】 本发明涉及到一种制备Fe-Ga-Al基原料制备Fe-Ga-Al基薄片状磁致 伸缩材料的方法，以及由该方法所制得的Fe-Ga-Al基薄片状磁致伸缩材 料。所使用的Fe-Ga-Al基原料成分(原子分数)为Fe1-x-y-zGaxAlyMz，其 中x＝0.10～0.30，y＝0.01～0.10，z＝0.001～0.05，M选自V、Cr、Zr、Sb、 Sn、Ti、SiC等中的一种或多种。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京麦格东方材料技术有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100081北京市海淀区大柳树路17号富海大厦12层1206室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810135513.8 【申请日】2008-08-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101654759A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101654759B 【授权公告日】2011-09-21 【授权公告年份】2011.0 【发明人】高学绪; 李纪恒; 张茂才; 朱洁; 董丽娜 【主权项内容】1、一种制备Fe-Ga-Al基薄片状磁致伸缩材料的方法，其特征在于， 所述方法使用的原料成分(原子分数)的通式为： Fe1-x-y-zGaxAlyMz， 其中， x＝0.10～0.30，y＝0.01～0.10，z＝0.001～0.05； M选自V、Cr、Zr、Sb、Sn、Ti、SiC中的一种或多种。 【当前权利人】北京麦格东方材料技术有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区大柳树路17号富海大厦12层1206室 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110108667545922E 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
