【摘要】 本发明涉及控制温度变化速率在真空中可控制备多形貌铜-四氰基对苯 醌二甲烷(Cu-TCNQ)纳米结构的方法。本发明在真空条件下利用有机气固相 反应，利用不同的升温速率在真空条件下合成了多形貌的铜-四氰基对苯醌二 甲烷纳米结构阵列材料，实现了纳米结构材料的可控生长，能调节纳米结构 材料的直径，可以获得纳米棒、纳米线，并且可以控制纳米结构材料顶端的 形貌。本发明的方法操作简单、安全、成本低、反应时间短，适于大规模生 产多形貌的铜-四氰基对苯醌二甲烷纳米结构阵列材料。得到的纳米材料可广 泛用于场发射平面显示、光电开关、传感器等方面。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院化学研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190北京市海淀区中关村北一街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810116990.X 【申请日】2008-07-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101633628A 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101633628B 【授权公告日】2012-05-30 【授权公告年份】2012.0 【发明人】王春儒; 田飞 【主权项内容】1.一种可控制备多形貌铜-四氰基对苯醌二甲烷纳米结构的方法，其特 征是：将四氰基对苯醌二甲烷粉末和铜片装入石英管的不同位置后放置于管 式炉中，通过真空泵抽真空保持石英管内真空，然后加热管式炉由室温升温 到200～250℃，使四氰基对苯醌二甲烷粉末升温到200～250℃，同时使铜片 升温到110～130℃后停止加热反应，然后冷却，即在铜基片上得到铜-四氰基 对苯醌二甲烷纳米结构。 【当前权利人】中国科学院化学研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村北一街2号 【统一社会信用代码】12100000400012238A 【被引证次数】3 【被自引次数】3.0 【家族被引证次数】3
