【摘要】 本发明提供一种以碳纳米管为电极的场效应晶体管器件及其制备方法。该器件中，构成源区和漏区的材料均为至少一根单壁碳纳米管，构成沟道区的材料为各种有机半导体分子。本发明提供的制备方法，通过将自上而下的器件制造工艺和自下而上的分子自组装方法相融合的方法，在功能性分子晶体管器件中引入功能化分子。通过利用一维弹道单壁碳纳米管作为点接触体及引入具有自组装特性的六苯并蔻类化合物，可获得高性能的纳米场效应晶体管，对各种外界刺激具有很高的响应灵敏度。本发明提供的碳纳米管晶体管器件在超灵敏环境刺激响应、超灵敏太阳能刺激响应器件等方面均具有很高的应用价值。该器件对促进分子级别各种尺度下超微光电器件的发展，将起到至关重要的作用。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810226314.8 【申请日】2008-11-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740719A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740719B 【授权公告日】2011-12-28 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L51/05; H01L51/30; H01L51/40 【发明人】郭雪峰 【主权项内容】一种场效应晶体管器件，包括源区、漏区、栅区和沟道区；其中，所述栅区和沟道区均位于所述源区和漏区之间，所述栅区位于所述沟道区之下；所述构成栅区的材料为掺杂导电硅；其特征在于：所述构成源区的材料为至少一根单壁碳纳米管，所述构成漏区的材料为至少一根单壁碳纳米管，所述构成沟道区的材料为稠环芳烃或苝酰胺。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【被引证次数】4 【被自引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】6
