【摘要】 本发明提供一种栅控二极管的半导体装置或其它相似的电子构件及其制作方法。上述半导体装置包含栅极结构，其设置于衬底上，且位于形成在衬底之中的沟道上方，并且此栅极结构还邻接源极区域及漏极区域。上述源极区域或漏极区域的顶部，或者是两区域的顶部，可以是整个或部分地位于比上述栅极结构的底部更高的高度。形成上述结构的方式，可借助覆盖沉积层于栅极结构及衬底的上方，且接着再以蚀刻工艺制作倾斜分布的方式完成。若上述源极区域及漏极区域同时具有上述结构，源极区域及漏极区域的结构也可以是对称或非对称性的分布。上述结构可以明显地降低掺杂物的侵入，据此，上述结构也可降低结漏电流。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810082115.4 【申请日】2008-03-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101281925B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101281925B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/08; H01L29/861; H01L29/78 【发明人】林大文; 林盈秀; 王世维; 黄立平; 梁英强; 卡罗斯 【主权项内容】一种半导体装置，包含：衬底；栅极结构，形成于该衬底的上方，且该栅极结构具有邻接该衬底的下边界；具有倾斜的上边界的源极区域，邻接该栅极结构；以及具有一倾斜的上边界的一漏极区域，邻接于该栅极结构；其中该源极区域及该漏极区域对应于该栅极结构的该下边界呈非共平面，且该源极区域对应于该漏极区域也呈非共平面。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】6.0 【自引次数】1.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】12.0 【家族被引证次数】7
