【摘要】 依据本发明一实施例的一种光电半导体装置，包括一能量转换系统，用 以进行光能与电能间的转换，此能量转换系统具有一第一侧；一接触层，形 成于能量转换系统的第一侧，并包括一外边界及至少一欧姆接触区，其中欧 姆接触区与能量转换系统间可形成欧姆接触；及二或多个不连续区，与接触 层相整合而形成至少一图案于能量转换系统之上。 【专利类型】发明申请 【申请人】晶元光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810165854.X 【申请日】2008-09-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685842A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101685842B 【授权公告日】2012-12-05 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L31/042; H01L31/08; H01L51/50; H01S5/00 【发明人】沈建赋; 钟健凯; 洪详竣; 叶慧君; 柯淙凯; 林安茹; 欧震 【主权项内容】1、一种光电半导体装置，包含： 一能量转换系统，可进行光能与电能间的转换，其中该能量转换系统包 含一第一接触区及一第二接触区； 一第一材料区块，形成于该能量转换系统的该第一接触区之上，并对于 一特定光波长可穿透；及 一第二材料区块，形成于该能量转换系统的该第二接触区之上； 其中，该第一材料区块与该第一接触区间的电阻小于该第二材料区块与 该第二接触区间的电阻。 【当前权利人】晶元光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【被引证次数】21 【被自引次数】13.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】21
