【摘要】 一种倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法，包括：在衬底上依次生长铟磷应力缓冲层至InGaAs接触层；在InGaAs接触层上生长一层氧化硅掩膜；将氧化硅掩膜的两侧刻蚀掉，再刻蚀掉氧化硅掩蔽条的两侧，得到深脊结构；湿法腐蚀掉部分深脊结构，形成入射窗口区；在深脊结构的两侧采用带胶剥离的方法制作N型金属欧姆接触；将衬底上至N型金属欧姆接触外侧边缘以外的各层刻蚀掉；保留入射窗口区一侧的各层，在衬底上形成台面结构；在深脊结构的上面经斜台面延伸至衬底上制作钛金行波电极结构的信号电极；在深脊结构两侧的N型金属欧姆接触上经斜台面延伸至衬底上制作钛金行波电极结构的接地电极；减薄解理。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810115627.6 【申请日】2008-06-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101614843B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101614843B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02B6/136; G02B6/13; G02B6/42 【发明人】张云霄; 廖栽宜; 赵玲娟; 朱洪亮; 潘教青; 王圩 【主权项内容】一种倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上采用金属有机气相沉积的方法依次生长铟磷应力缓冲层、第一1.2Q四元层、第一铟磷层、第二1.2Q四元层、第二铟磷层、第一n‑1.2Q四元层、第一n‑铟磷层、第二n‑1.2Q四元层、第二n‑铟磷层、第三n‑1.2Q四元层、第三n‑InP层、n‑1.1Q四元层、i‑1.4Q四元层、InP选择化学停止层、p‑InGaAs层、p‑InP盖层、InGaAs接触层；步骤2：在InGaAs接触层上生长一层氧化硅掩膜；步骤3：采用光刻的方法，将氧化硅掩膜两侧的氧化硅刻蚀掉，形成出保护单一载流子光电探测区的氧化硅掩蔽条，然后在氧化硅掩蔽条的保护下，用反应离子刻蚀的方法，刻蚀掉氧化硅掩蔽条的两侧，刻蚀深度至第一n‑1.2Q四元层或第一n‑铟磷层或第二n‑1.2Q四元层，得到深脊结构；步骤4：采用自对准方法，湿法腐蚀掉部分深脊结构，腐蚀深度至InP选择化学停止层，形成入射窗口区；步骤5：在深脊结构的两侧采用带胶剥离的方法制作N型金属欧姆接触，其长度至入射窗口区的边缘；步骤6：采用湿法刻蚀的方法，将衬底上至N型金属欧姆接触外侧边缘以外的各层刻蚀掉；保留入射窗口区一侧的各层，在衬底上形成台面结构；步骤7：在台面结构、远离入射窗口区的一端制作一斜台面；步骤8：在深脊结构的上面经斜台面延伸至衬底上制作钛金行波电极结构的信号电极；在深脊结构两侧的N型金属欧姆接触上经斜台面延伸至衬底上制作钛金行波电极结构的接地电极；步骤9：减薄解理，完成整个器件的制作。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】10
