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一种B位掺杂Sn、Fe的BaCoO3基的钙钛矿型陶瓷透氧膜材料专利

发布时间:2026-06-15

【摘要】 一种B位掺杂Sn、Fe元素的BaCoO3基的钙钛矿型陶瓷透氧膜材料,涉及无机透氧膜材料。本发明的特征在于:BaCo0.7Fe0.3O3-δ的B位掺杂Sn元素,材料的化学分子式为BaCo0.7Fe0.3-xSnxO3-δ,其中x=0.06-0.30。本发明制备出的B位掺杂Sn元素的透氧膜材料结构致密,并且晶界宽度窄,晶界清洁无杂质相,透氧量高,稳定性好,是一种性能优异的透氧膜材料,能够应用于甲烷部分氧化反应的连续供氧,及其他含氧的气体中氧气的分离和提纯的工业过程。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083 北京市海淀区学院路30号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810105567.X 【申请日】2008-04-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101269954B 【公开公告日】2010-10-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101269954B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C04B35/32; C01B13/02; B01D71/02 【发明人】赵海雷; 程云飞; 丁伟中; 高峰; 王冶峰; 张翼 【主权项内容】一种B位掺杂Sn、Fe的BaCoO3基的钙钛矿型陶瓷透氧膜材料,其特征在于:BaCo0.7Fe0.3O3-δ的B位掺杂x(x=0.06-0.30)的Sn元素,材料的化学分子式为BaCo0.7Fe0.3-xSnxO3-δ,其中x=0.06-0.30。 【当前权利人】北京科技大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路30号 【统一社会信用代码】121000004000022245 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族被引证次数】6

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  • 【摘要】一种发声装置,其包括:一基底;至少一第一电极,该至少第一电极设置于所述基底;至少一第二电极,该至少第二电极间隔该第一电极设置于所述基底;以及一发声元件,该发声元件包括一碳纳米管结构,该碳纳米管结构与所述至少一第一电极与至少一第二电极
  • 【摘要】本发明属于一种表征方法,特别涉及对具有介孔的无机材料进行表面修饰后的介孔保留状况的表征。将未经过表面修饰和表面修饰后的具有介孔的无机材料进行荧光标记,在同一曝光强度下比较荧光的强弱。从而判断对具有介孔的无机材料表面修饰方法特别是高分
  • 【摘要】本发明涉及一种绘画笔与绘画板距离的测量方法,属于计算机外围设备技术领域,绘画笔在靠近或远离绘画板时,该方法包括:测量电路测量出绘画板接收电路的实际输出信号幅值;根据所述实际输出信号幅值、对应于所述实际输出信号幅值的额定输出信号幅值,
  • 【摘要】本发明公开了一种实现交互语音响应的方法、装置和系统,属于呼叫中心技术领域,为解决现有技术中一种交互语音响应IVR产品上开发的语音流程,不能广泛的移植到其它IVR产品上进行使用的问题而设计。一种实现交互语音响应的方法,包括:接收IVR