【摘要】 本发明公开了一种注入气体的装置，包括：立式炉管的腔体(11)；第一注入器(12)，通过位于立式炉管的腔体(11)中部区域的第一开口(A)向所述立式炉管的腔体(11)注入第一混合气体；有第三开口(C)和第四开口(D)的第二注入器(13)，通过第三开口(C)和第四开口(D)向立式炉管的腔体(11)注入第二混合气体，第三开口(C)位于立式炉管的腔体(11)的中部区域，第四开口(D)位于立式炉管的腔体(11)的顶部区域；第一混合气体中磷烷所占比例高于第二混合气体中磷烷所占比例。通过本发明，使磷烷在腔体内分布均匀，进而提高生成的原位掺杂多晶硅的质量。本发明还公开了一种利用所述装置生成原位掺杂多晶硅的方法。 【专利类型】发明授权 【申请人】北大方正集团有限公司; 深圳方正微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810226820.7 【申请日】2008-11-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101403104B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101403104B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/205; C23C16/24; C23C16/455; C23C16/52 【发明人】徐威; 刘其金 【主权项内容】一种注入气体的装置，其特征在于，所述装置包括：立式炉管的腔体(11)，该腔体(11)按照垂直高度划分了底部区域、中部区域和顶部区域，所述立式炉管的腔体(11)顶部区域连接一个用于将立式炉管的腔体(11)中的气体抽出的气体抽出设备(16)，用于保持腔体内的气压稳定；有第一开口(A)的第一注入器(12)，通过第一开口(A)向所述立式炉管的腔体(11)注入由硅烷和磷烷组成的第一混合气体，所述第一开口(A)位于立式炉管的腔体(11)的中部区域；有第三开口(C)和第四开口(D)的第二注入器(13)，通过第三开口(C)和第四开口(D)向所述立式炉管的腔体(11)注入由硅烷和磷烷组成的第二混合气体，所述第三开口(C)位于立式炉管的腔体(11)的中部区域，第四开口(D)位于立式炉管的腔体(11)的顶部区域；所述第一混合气体中磷烷所占比例高于第二混合气体中磷烷所占比例。 【当前权利人】北大方正集团有限公司; 深圳方正微电子有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区成府路298号方正大厦9层; 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园 【专利权人类型】其他有限责任公司; 有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110108101974963M; 91440300755682249E 【家族被引证次数】3
