【摘要】 本发明公开了一种沟槽型DMOS管及其制备方法，涉及集成电路制备，尤其涉及沟槽型DMOS管及其制备方法，为了解决现有技术无法同时实现DMOS管耐高压和低导通电阻的问题。沟槽型DMOS管的制备方法包括：在衬底上沉积一层与所述衬底的导电类型相同的第一外延层；在所述第一外延层上沉积一层与所述衬底的导电类型相同的第二外延层；所述第二外延层的杂质离子浓度小于所述第一外延层。沟槽型DMOS管包括：在衬底上有与所述衬底的导电类型相同的第一外延层；在所述第一外延层上有与所述衬底的导电类型相同的第二外延层；所述第二外延层的杂质离子浓度小于所述第一外延层。本发明适用于集成电路工艺中的DMOS管的制备。 【专利类型】发明申请 【申请人】北大方正集团有限公司; 深圳方正微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810224888.1 【申请日】2008-10-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728270A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/336; H01L21/20; H01L21/205; H01L29/78; H01L29/06; H01L21/02; H01L29/02; H01L29/66 【发明人】王新强; 方绍明; 赵亚民; 刘鹏飞; 陈勇; 陈洪宁; 张立荣 【主权项内容】一种沟槽型DMOS管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上沉积一层与所述衬底的导电类型相同的第一外延层；在所述第一外延层上沉积一层与所述衬底的导电类型相同的第二外延层；所述第二外延层的杂质离子浓度小于所述第一外延层。 【当前权利人】北大方正集团有限公司; 深圳方正微电子有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区成府路298号方正大厦5层; 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园 【专利权人类型】其他有限责任公司; 有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110108101974963M; 91440300755682249E 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】3
