【摘要】 本发明公开了一种制备有源层材料取向有序的有机场效应晶体管的方法，该方法包括：在导电基底上生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到平行排列的线条图形；在平行排列的线条图形表面蒸镀一层金属薄膜；用丙酮剥离掉光刻胶形成平行排列的金属线条；沉积生长有机半导体薄膜；通过镂空的掩模版沉积源漏电极，完成有源层有机半导体材料取向有序的有机场效应晶体管的制备。利用本发明，金属引导线条制作简单，传统的光刻工艺就可以很容易实现，线条的尺度不需要太小，因而对光刻设备也没有很高的要求，而且对于不同曝光精度光刻机可以相应的选取不同粗细的引导线条，更重要的是在实现对有机分子排列取向的控制上可控性比较强。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810240077.0 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752502A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752502B 【授权公告日】2011-06-01 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L51/40 【发明人】刘舸; 刘明; 刘光华; 商立伟; 王宏; 柳江 【主权项内容】一种制备有源层材料取向有序的有机场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在导电基底上生长绝缘介质薄膜；步骤2、在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到平行排列的线条图形；步骤3、在平行排列的线条图形表面蒸镀一层金属薄膜；步骤4、用丙酮剥离掉光刻胶形成平行排列的金属线条；步骤5、沉积生长有机半导体薄膜；步骤6、通过镂空的掩模版沉积源漏电极，完成有源层有机半导体材料取向有序的有机场效应晶体管的制备。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
