【摘要】 本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，涉及TFT-LCD技术，为解决当前TFT-LCD显示效果不佳及工艺繁杂而提出，所采用的技术方案是：包括有栅线和数据线，栅线和数据线交叉形成像素区域，所述像素区域包括至少一薄膜晶体管和一像素电极，所述薄膜晶体管的源极形成在最底层，所述源极上依次为有源层和漏极，所述源极与数据线连接、漏极与像素电极连接；所述栅极形成在有源层的侧面，并与栅线连接；所述有源层的侧面、与有源层的侧面相对的栅极部分构成垂直向的电流沟道，即形成侧栅极沟道。本发明同时公开了一种前述像素结构的制作方法。本发明明显提高了TFT沟道的电流强度，改善了TFT-LCD的显示效果，提高了TFT-LCD像素结构的制作效率。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810102789.6 【申请日】2008-03-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101546077B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101546077B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02F1/1362; H01L27/12; H01L29/786; H01L21/84; G03F1/00; G03F1/32 【发明人】何祥飞; 王威 【主权项内容】一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，包括有栅线和数据线，栅线和数据线交叉形成像素区域，所述像素区域包括至少一薄膜晶体管和一像素电极，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极形成在最底层，所述源极上依次为有源层和漏极，所述源极与数据线连接、漏极与像素电极连接；所述栅极形成在有源层的侧面，并与栅线连接；所述有源层的侧面、与有源层的侧面相对的栅极部分构成垂直向的电流沟道，即形成侧栅极沟道。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【家族被引证次数】22
