【摘要】 本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种IGBT高压功率器件圆片背面激光退火工艺。采用扫描方式进行激光退火，控制硅圆片背面沿与长条形状激光光斑的垂直方向做往复的匀速直线运动，形成激光光斑对硅圆片背面进行全面积的扫描，使硅圆片背面的表层升温，产生均匀的退火作用。采用本发明方案，能够解决P型掺杂层在离子注入后无法进行良好的退火处理的问题，使收集极金属层与紧邻硅圆片中的P型掺杂层之间形成良好的欧姆接触。使用较短波长激光，激光对硅片背面的透入深度有限，刚好能够较快地实现杂质激活，又不对IGBT高压功率器件中的其余结构部分产生不良的影响；采用本项技术能够得到导通电阻更小的IGB高压功率器件。 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084 北京市100084-82信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810055627.1 【申请日】2008-01-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101217115B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101217115B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/331; H01L21/268 【发明人】刘志弘; 严利人; 周卫; 刘朋 【主权项内容】一种IGBT高压功率器件圆片背面激光退火工艺，其特征在于，对于要求在硅圆片背面的收集极金属层与紧邻的硅圆片背面的P型掺杂层之间形成欧姆接触的IGBT高压功率器件；其P型掺杂层由硅圆片背面的离子注入和激光退火两步工艺形成，其激光退火工艺步骤为：1)激光退火的光源采用波长范围在400nm～600nm的连续激光，或用波长较长的激光光学倍频后使用；2)将振镜(7)放置在激光光源(6)的出射光路径上，控制振镜(7)的振动，使在硅圆片背面(5)上形成长条形状激光光斑(8)；3)采用扫描方式进行激光退火，控制硅圆片背面(5)，使其沿与长条形状激光光斑(8)的垂直方向(9)做往复的匀速直线运动，形成激光光斑(8)对硅圆片背面(5)的扫描；激光光束扫过硅圆片的整个背面面积，硅圆片背面(5)的表层升温，产生均匀的退火作用。 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市100084-82信箱 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【引证次数】5.0 【被引证次数】2 【他引次数】5.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】12
