【摘要】 本发明公开了一种采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方 法，该方法包括：选择HBT材料的B-C结制作变容二极管，利用HBT中 基极层材料的高掺杂特征，使接触金属不经过高温金属化工艺或者快速金 属化工艺可形成欧姆接触；采用耐高温和多次加厚的掩膜层来保护无需二 次掺杂的区域，利用离子注入设备对变容二极管材料区域进行掺杂元素二 次掺杂，调整变容二极管材料区域掺杂组分至适于制作变容二极管的超突 变结状态，同时使无需二次掺杂的区域不受该二次掺杂的影响。本发明对 需优化性能的二极管器件材料区域进行二次掺杂，同时保护电路其他区域 的特性，使在同一片半导体材料可以在满足其他器件需求的同时，可以制 作高质量的变容二极管。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810116044.5 【申请日】2008-07-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621027A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101621027B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/82; H01L21/329; H01L21/266 【发明人】王显泰; 金智 【主权项内容】1、一种采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法，其特征 在于，该方法包括： 选择异质结双极型晶体管HBT材料的B-C结制作变容二极管，利用 HBT中基极层材料的高掺杂特征，使接触金属不经过高温金属化工艺或者 通过快速金属化工艺可形成欧姆接触； 采用耐高温和多次加厚的掩膜层来保护无需二次掺杂的区域，利用离 子注入设备对变容二极管材料区域进行掺杂元素二次掺杂，调整变容二极 管材料区域掺杂组分至适于制作变容二极管的超突变结状态，同时使无需 二次掺杂的区域不受该二次掺杂的影响。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【家族引证次数】3.0
