【摘要】 本发明属于电子机械技术领域，涉及一种高真空多功能离子束溅射与电子束蒸发连续镀膜装置。本装置的真空镀膜室为单室结构，离子束溅射源和电子束蒸镀源的发生器设置在真空镀膜室外，二者通入镀膜室的入口对应设置有离子束溅源射挡板和电子束蒸镀源挡板；恒张力可逆卷绕单元的收/放卷轴及随动过渡轴固定于镀膜室内的连接支撑装置上，对应的传感、驱动、控制设置在镀膜室外。本实用新型结构紧凑，在单真空室内具有多种镀膜及连续镀膜功能，并可实现镀膜过程中间断或全时的离子束辅助增强沉积，能将溅射靶材特别是贵重金属靶材和难加工类靶材利用率提高60％～100％，还可通过镶嵌型靶获得特殊功能的包覆型复合膜产品。。： 【专利类型】发明授权 【申请人】昆明理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】650093 云南省昆明市五华区学府路253号(昆明理工大学) 【申请人地区】中国 【申请人城市】昆明市 【申请人区县】五华区 【申请号】CN200810233591.1 【申请日】2008-11-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101413109B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101413109B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C23C14/56 【发明人】杨滨 【主权项内容】一种真空多功能连续镀膜装置，其特征在于：真空镀膜室为单室结构，离子束溅射源和电子束蒸镀源的发生器设置在真空镀膜室外，二者通入镀膜室的入口对应设置有离子束溅源射挡板和电子束蒸镀源挡板；恒张力可逆卷绕单元的收/放卷轴及随动过渡轴固定于镀膜室内的连接支撑装置上，恒张力可逆卷绕单元对应的传感、驱动、控制设置在镀膜室外。。 【当前权利人】昆明理工大学 【当前专利权人地址】云南省昆明市五华区学府路253号(昆明理工大学) 【统一社会信用代码】125300004312044864 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】15
