【摘要】 本发明涉及叠层底部抗反射结构及刻蚀方法。其中，叠层底部抗反射结构，包括有机底部抗反射层和其上的第一层含硅底部抗反射层，所述第一层含硅底部抗反射层之上还设有氧化硅层。与现有技术相比，本发明在含硅底部抗反射层之上还设有氧化硅层，可以保护含硅底部抗反射层在刻蚀其下的有机底部抗反射层时不受损伤，从而保持图形转移的精确性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203 上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810205382.6 【申请日】2008-12-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101770940A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101770940B 【授权公告日】2012-04-18 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/027; H01L21/311; G03F7/09 【发明人】韩秋华; 舒强 【主权项内容】一种用于光刻的叠层底部抗反射结构，包括有机底部抗反射层和其上的第一层含硅底部抗反射层，其特征在于：所述第一层含硅底部抗反射层之上还设有氧化硅层。 微信 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【引证次数】2.0 【被引证次数】7 【他引次数】2.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】7
