【摘要】 一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述衬底上形成第一保护层；在所述半导体衬底中形成贯穿所述第一保护层的第一沟槽；在所述沟槽侧壁形成第二保护层；以所述第一保护层和第二保护层为掩模，刻蚀所述第一沟槽的底部，使所述第一沟槽深度增大，形成第二沟槽；去除所述第二沟槽未被第二保护层覆盖的侧壁的部分厚度的材料，使所述第二沟槽的底部的宽度增大；去除所述第一保护层和第二保护层后，在所述第二沟槽中填充绝缘层。本发明还提供一种浅沟槽隔离结构。本发明能够减小浅沟槽隔离结构中的沟槽顶部以及底部的宽度的差距，并提供隔离性能更好的浅沟槽隔离结构。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810226385.8 【申请日】2008-11-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740459A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/762; H01L21/306; H01L27/02; H01L27/04; H01L21/70; H01L21/02 【发明人】刘金华 【主权项内容】该数据由<>整理 。一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述衬底上形成第一保护层；在所述半导体衬底中形成贯穿所述第一保护层的第一沟槽；在所述沟槽侧壁形成第二保护层；以所述第一保护层和第二保护层为掩模，刻蚀所述第一沟槽的底部，使所述第一沟槽深度增大，形成第二沟槽；去除所述第二沟槽未被第二保护层覆盖的侧壁的部分厚度的材料，使所述第二沟槽的底部的宽度增大；去除所述第一保护层和第二保护层后，在所述第二沟槽中填充绝缘层。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】6 【被他引次数】6.0 【家族被引证次数】6
