【摘要】 一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次具有垫氧化硅层和硬掩膜层；在所述衬底中具有沟槽，在所述垫氧化硅层和硬掩膜层中与沟槽相应的位置具有开口；执行湿氧氧化工艺，在所述沟槽的底部以及侧壁形成衬垫氧化硅层；在所述沟槽中的衬垫氧化硅层和所述硬掩膜层上形成介质层；去除所述硬掩膜层上的介质层及所述的硬掩膜层；本发明可提高浅沟槽隔离结构中的衬垫氧化硅层的厚度一致性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810227180.1 【申请日】2008-11-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740462A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/762; H01L21/70 【发明人】李敏; 郑春生 【主权项内容】一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上依次具有垫氧化硅层和硬掩膜层；在所述衬底中具有沟槽，在所述垫氧化硅层和硬掩膜层中与沟槽相应的位置具有开口；执行湿氧氧化工艺，在所述沟槽的底部以及侧壁形成衬垫氧化硅层；在所述沟槽中的衬垫氧化硅层和所述硬掩膜层上形成介质层；去除所述硬掩膜层上的介质层及所述的硬掩膜层。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】3 【他引次数】1.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】3
