【摘要】 本发明涉及一种电阻式随机存储器用合金电极材料和制备技术。本发明的 目的是通过采用合金化的方法，提高电极材料与电阻记忆薄膜的接触电阻，改 善存储器的存储性能。电极合金化的主要依据是材料的功函数、化学活性、互 溶度以及与氧化物的结合强度等方面。针对所使用的电阻记忆薄膜的功函数， 以形成肖特基接触为依据，选择主体金属材料；以可以化合/传输氧原子为依据 选择客体材料。这种合金电极不仅有效地拓宽了电阻记忆薄膜制备的工艺参数 范围，而且明显改善了薄膜的电阻记忆保持性和疲劳性。由于采用与现有集成 电路工艺兼容的制备方法，将有利于其实际应用。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院上海硅酸盐研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】200050上海市定西路1295号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】长宁区 【申请号】CN200810200174.7 【申请日】2008-09-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101677014A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】G11C11/21; C23C14/22; C23C16/44 【发明人】于伟东; 李效民; 杨蕊; 刘新军; 王群; 陈立东 【主权项内容】1、电阻式随机存储器用合金电极材料，其特征在于所述合金电极材料的选 择依据为主体金属材料可以与相应记忆材料形成肖特基接触，客体材料可以化 合/传输氧原子。 【当前权利人】中国科学院上海硅酸盐研究所 【当前专利权人地址】上海市定西路1295号 【统一社会信用代码】12100000425006547H 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1
