【摘要】 一种浅沟槽形成方法，包括，在半导体基底上形成钝化层及图形化的抗蚀剂层；以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，刻蚀所述钝化层；以刻蚀后的所述钝化层为硬掩膜，采用包含氟基硫化气体的刻蚀气体刻蚀部分深度的所述半导体基底，形成所述浅沟槽；至少在所述刻蚀过程的后段，所述氟基硫化气体的流量是逐渐减小的。本发明还提供了一种在刻蚀过程的中间阶段采用流量逐渐减小的所述氟基硫化气体的浅沟槽形成方法，均可弱化甚至消除折点，减小倾斜角度差值。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810226381.X 【申请日】2008-11-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740373A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740373B 【授权公告日】2011-11-30 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/308; H01L21/76; H01L21/02; H01L21/70 【发明人】赵林林 【主权项内容】一种浅沟槽形成方法，包括，在半导体基底上形成钝化层及图形化的抗蚀剂层；以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，刻蚀所述钝化层；以刻蚀后的所述钝化层为硬掩膜，采用包含氟基硫化气体的刻蚀气体刻蚀部分深度的所述半导体基底，形成所述浅沟槽；其特征在于：至少在所述刻蚀过程的后段，所述氟基硫化气体的流量是逐渐减小的。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】4.0 【被引证次数】8 【他引次数】4.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】8
