24小时服务热线
效率高速
品质保障
厂家直供
售后保障
行业新闻
当前位置:行业新闻>

适用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法专利

发布时间:2026-06-12

【摘要】 适用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法,涉及功能陶瓷材料技术领域。本发明的主料是由aBaO-bLn2O3-cBi2O3-dTiO2表示的组合物,a、b、c和d满足:a+b+c+d=1,0.13≤a≤0.17,0.12≤b≤0.22,0.01≤c≤0.1,0.4≤d≤0.74。本发明的辅料是由eBi2O3-fB2O3-gZnO-hSiO2玻璃一和jBaO-kLi2O-lCaO-mSrO-nSiO2玻璃二组成的混合物,e、f、g和h满足:e+f+g+h=100,50≤e≤90,5≤f≤30,4≤g≤30,1≤h≤20;j、k、l、m和n满足:j+k+l+m+n=100,20≤j≤25,5≤k≤10,5≤l≤10,0≤m≤10,50≤n≤70。本发明不仅可以在低温烧结的条件下保持很高的介电常数,并且NPO特性好。 【专利类型】发明申请 【申请人】同方股份有限公司; 山东同方鲁颖电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100083 北京市海淀区同方科技广场A座2901 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810239689.8 【申请日】2008-12-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101747034A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101747034B 【授权公告日】2012-10-10 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C04B35/462; C04B35/622; H01G4/12; H01G4/30 【发明人】吉岸; 袁纪烈; 陈月光; 王士娇; 张力 【主权项内容】适用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料,其特征在于,它由重量百分含量为90~99wt%的主料和重量百分含量为1~10wt%的辅料组成:1)主料:由aBaO-bLn2O3-cBi2O3-dTiO2表示的组合物,其中a、b、c和d分别独立的代表摩尔比率,满足下述条件:a+b+c+d=1,0.13≤a≤0.17,0.12≤b≤0.22,0.01≤c≤0.1,0.4≤d≤0.74;2)辅料:由eBi2O3-fB2O3-gZnO-hSiO2玻璃一和jBaO-kLi2O-lCaO-mSrO-nSiO2玻璃二组成的混合物,混合物的缩写比例式为xBBZS-(1-x)BLCS,其中玻璃一在混合物中的重量百分含量的x值为70~90wt%,其中e、f、g和h分别独立的代表其在玻璃一中的重量百分比,满足下述条件:e+f+g+h=100,50≤e≤90,5≤f≤30,4≤g≤30,1≤h≤20;其中j、k、l、m和n分别独立的代表其在玻璃二中的重量百分比,满足下述条件:j+k+l+m+n=100,20≤j≤25,5≤k≤10,5≤l≤10,0≤m≤10,50≤n≤70。 【当前权利人】山东同方鲁颖电子有限公司 【当前专利权人地址】山东省临沂市沂南县城金波路21号 【专利权人类型】其他股份有限公司(上市); 有限责任公司 【统一社会信用代码】91110000100026793Y; 913713217232772578 【家族引证次数】4.0

  • 【摘要】本发明公开了数字水印的嵌入方法、提取方法及装置,包括:嵌入水印时,根据分块规则将图像划分并组成第一矩阵,进行离散余弦变换得到第二矩阵,替换第二矩阵中的指定特征值得到第三矩阵,进行离散余弦逆变换得到第四矩阵,根据第四矩阵中的特征值相对
  • 【摘要】1.该外观设计为平面片状,其它视图无要求保护的特征,故只提供主视图, 省略其它视图。 2.该外观设计是由多个组件1拼组而成的中部为空的树池盖板。【专利类型】外观设计【申请人】北京仁创科技集团有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】1
  • 【摘要】本发明提供了一种能提高阿维菌素产量的基因工程菌,其是将阿维链霉菌中编码核糖体循环因子的frr基因通过表达载体引入阿维链霉菌中得到的核糖体循环因子过表达的重组菌。本发明的基因工程菌可直接用于阿维菌素的发酵生产,提高阿维菌素的发酵单位,
  • 【摘要】本发明公开了具镇痛活性的氨基酰酪氨酰色氨酸三肽及制备方法和应用。本发明氨基酰酪氨酰色氨酸三肽的结构式为AA-Tyr-Trp,其中,AA选自丙氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、苯丙氨酸、甘氨酸、组氨酸、异亮氨酸、赖氨酸、亮氨酸、甲硫氨酸、天冬酰
  • 【摘要】本发明公开了一种记事提醒方法和装置,属于记事提醒领域。所述方法包括:记事提醒装置与主机建立连接后,记事提醒装置中的记事提醒软件在主机上自动运行;记事提醒软件获取系统时钟信息;根据系统时钟信息和记事提醒装置中存储的记事信息判断是否满足
  • 【摘要】本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种IGBT高压功率器件圆片背面激光退火工艺。采用扫描方式进行激光退火,控制硅圆片背面沿与长条形状激光光斑的垂直方向做往复的匀速直线运动,形成激光光斑对硅圆片背面进行全面积的扫描,使硅圆片背面的表