【摘要】 本发明公开了一种修饰有机场效应晶体管底电极的方法，该方法包括：在导电基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到底电极胶图形；真空蒸镀一层有机半导体材料；通过电子束蒸发在有机半导体材料表面蒸镀一层金属薄膜；用丙酮剥离掉光刻胶完成底电极的图形化；真空蒸镀有机半导体材料，完成器件的制作。本发明对底电极的修饰采用沟道半导体材料本身，减小了电极与沟道材料之间的接触电势差。修饰用的有机半导体材料使用真空蒸镀的方式得到，真空蒸镀得到的有机半导体材料相对于液相法来说具有更好物理形貌以至电学性能。另外，这种方法的工艺过程也比较简单，没有增加复杂的工艺。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810240083.6 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752506A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L51/40 【发明人】刘舸; 刘明; 刘兴华; 商立伟; 王宏; 柳江 【主权项内容】一种修饰有机场效应晶体管底电极的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在导电基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；步骤2、在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到底电极胶图形；步骤3、真空蒸镀一层有机半导体材料；步骤4、通过电子束蒸发在有机半导体材料表面蒸镀一层金属薄膜；步骤5、用丙酮剥离掉光刻胶完成底电极的图形化；步骤6、真空蒸镀有机半导体材料，完成器件的制作。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】2 【被自引次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】2
