【摘要】 本发明涉及一种基于NiFe磁性层的各向异性磁电阻材料。这种薄膜系统是以NiFe作为磁性层，通过在缓冲层与磁性层之间，磁性层与保护层之间添加Pt作为扩散阻挡层，可以有效抑制高温下缓冲层及保护层材料Ta与NiFe之间的相互扩散。本发明的制备工艺简单稳定，非常适合实际操作，可应用于磁场传感器系统中。并且，本发明中添加Pt作为扩散阻挡层后，对材料的矫顽力基本没有影响，在实际应用中具有重要意义。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190 北京市海淀区中关村南三街8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810226605.7 【申请日】2008-11-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740714A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L43/08; H01L43/12; H01F10/08; H01L43/00 【发明人】刘奕帆; 蔡建旺 【主权项内容】一种各向异性磁电阻材料，包括一基片和基片上依次设置的：缓冲层；第一扩散阻挡层；磁性层；第二扩散阻挡层；保护层；其中，所述第一扩散阻挡层用于阻止所述缓冲层的材料与所述磁性层的材料之间相互扩散，所述第二扩散阻挡层用于阻止所述保护层的材料与所述磁性层的材料之间的相互扩散。。该数据由<>整理 【当前权利人】中国科学院物理研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村南三街8号 【统一社会信用代码】12100000400012174C 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
