【摘要】 本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维结构具有类似于屋顶的外形，即，底面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，底面长方形的长度等于该屋顶形的屋脊长度和底面长方形的宽度的和，特别的，当屋顶形的屋脊长度为零时，该屋顶形退化为正四棱锥形，也可以称为金字塔形。上述三维结构的内部是空心的。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维中空结构的硅的方法。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810101188.3 【申请日】2008-02-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101311348B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101311348B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C30B29/06; C30B29/60 【发明人】奚中和; 吴越; 张耿民; 崔宏宇; 郭等柱 【主权项内容】一种具有三维中空结构的硅，其特征在于所述的三维中空结构为空心的屋顶形，所述屋顶形的底面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，其中三角形侧面和三角形侧面相对，梯形侧面和梯形侧面相对；所述屋顶形满足b＝a+c，其中：a为屋顶形屋脊的长度，b为屋顶形长方形底面的长度，c为屋顶形长方形底面的宽度，b和c均在200纳米至60微米之间；所述屋顶形的高度在300纳米至40微米之间。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P
