【摘要】 本发明公开了一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法，对晶圆衬底 依次进行稳定化处理、沉积处理、氢去除处理、净化处理和起片处理后，得 到晶圆衬底上的薄膜，该方法还包括：在沉积处理和氢去除处理之间进行净 化处理。本发明提供的方法在每次沉积晶圆的衬底上薄膜时，去除薄膜表面 的氢含量，从而使得最终得到的晶圆衬底上薄膜的张应力增大。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810222116.4 【申请日】2008-09-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101671817A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101671817B 【授权公告日】2011-09-21 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C23C16/513; C23C16/50 【发明人】徐强; 蔡明 【主权项内容】1、一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法，对晶圆衬底依次进行 第一稳定化处理、沉积处理、氢去除处理、第一净化处理和起片处理后，得 到晶圆衬底上的薄膜，其特征在于，该方法还包括： 在沉积处理和氢去除处理之间进行第二净化处理。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】3
