【摘要】 一种氮化镓基多波段探测器，包括：一衬底；一短波段探测单元，包 括：一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处；一对第一背 靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上；一中波段探测单元，包括： 一第二宽带隙材料层生长在衬底上面中间的三分之一处；一第二中间带隙 材料层生长在第二宽带隙材料层上；一对第二背靠背肖特基电极生长在第 二中间带隙材料层上；一长波段探测单元，包括：一第三宽带隙材料层生 长在衬底上面另一侧的三分之一处；一第三中间带隙材料层生长在第三宽 带隙材料层上；一第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料层上；一对 第三背靠背肖特基电极生长在第三窄带隙材料层上。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810116416.4 【申请日】2008-07-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101626025A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101626025B 【授权公告日】2011-06-01 【授权公告年份】2011.0 【发明人】刘文宝; 孙苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 杨辉 【主权项内容】1、一种氮化镓基多波段探测器，其特征在于，包括： 一衬底； 一短波段探测单元，包括： 一第一宽带隙材料层，该第一宽带隙材料层外延生长在衬底上面一侧 的三分之一处； 一对第一背靠背肖特基电极，该对第一背靠背肖特基电极生长在第一 宽带隙材料层上； 一中波段探测单元，包括： 一第二宽带隙材料层，该第二宽带隙材料层外延生长在衬底上面中间 的三分之一处，该第二宽带隙材料层与第一宽带隙材料层之间有一第一间 隙； 一第二中间带隙材料层，该第二中间带隙材料层外延生长在第二宽带 隙材料层上； 一对第二背靠背肖特基电极，该对第二背靠背肖特基电极生长在第二 中间带隙材料层上； 一长波段探测单元，包括： 一第三宽带隙材料层，该第三宽带隙材料层外延生长在衬底上面另一 侧的三分之一处，该第三宽带隙材料层与第二宽带隙材料层之间有一第二 间隙； 一第三中间带隙材料层，该第三中间带隙材料层生长在第三宽带隙材 料层上； 一第三窄带隙材料层，该第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料 层上； 一对第三背靠背肖特基电极，该对第三背靠背肖特基电极生长在第三 窄带隙材料层上。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族被引证次数】2
