【摘要】 本发明公开了一种列阵器件光束快轴压缩用圆柱透镜的制作方法，该 方法包括：制作规格相同的一定长度的光纤段；对该光纤段的两端进行金 属膜溅射；将两端溅射好金属膜的光纤段焊接在陶瓷段上，焊好后用去离 子水清洗，然后超声清洗后烘干。本发明提供的这种列阵器件光束快轴压 缩用圆柱透镜的制作方法，可靠性高，能够有效控制封装尺寸大小、封装 精度、器件整体远场发散角等，进而能够满足列阵器件和叠层列阵器件压 缩的要求。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810118965.5 【申请日】2008-08-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661205A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101661205B 【授权公告日】2012-05-30 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G02F1/35; H01S5/40; H01S3/0941 【发明人】刘媛媛; 李伟; 马骁宇 【主权项内容】1、一种列阵器件光束快轴压缩用圆柱透镜的制作方法，其特征在于， 该方法包括： 制作规格相同的一定长度的光纤段； 对该光纤段的两端进行金属膜溅射； 将两端溅射好金属膜的光纤段焊接在陶瓷段上，焊好后用去离子水清 洗，然后超声清洗后烘干。。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【家族引证次数】4.0
