【摘要】 本发明提供了一种半导体结构的刻蚀方法和金属互连层的形成方法，其 中所述半导体结构的刻蚀方法包括：提供半导体基底，所述基底上具有图案 化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜对所述基底进行等离子刻蚀，所述等 离子刻蚀工艺至少采用三种碳氟化合物为刻蚀气体；去除所述光刻胶层，形 成半导体结构。采用本发明提供的半导体结构的刻蚀方法，能够有效的改善 刻蚀形成的沟槽的线边缘粗糙。采用本发明提供的能够有效的改善刻蚀形成 的沟槽的线边缘粗糙，形成线边缘平直的金属互连层，进而改善半导体器件 的击穿电压特性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810117504.6 【申请日】2008-07-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101640174A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101640174B 【授权公告日】2011-08-24 【授权公告年份】2011.0 【发明人】赵林林 【主权项内容】1、一种半导体结构的刻蚀方法，其特征在于，包括： 提供半导体基底，所述基底上具有图案化的光刻胶层； 以所述光刻胶层为掩膜对所述基底进行等离子刻蚀，所述等离子刻蚀工 艺至少采用三种碳氟化合物为刻蚀气体； 去除所述光刻胶层。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
