【摘要】 本发明提供了一种产生强太赫兹辐射的装置，包括：一个气体填充管； 一个激光器，用于生成不对称激光脉冲并将所述不对称激光脉冲入射到所述 填充管，所述不对称激光脉冲传播方向与所述气体填充管的轴线方向相同； 所述不对称激光脉冲的能量高于所述填充管中气体的电离势能。同时，本发 明还提供了相应的产生强太赫兹辐射的方法。本发明可以稳定产生100MW 量级THz辐射；得到的太赫兹辐射的波形固定为单周期脉冲，其频率和强度 具有很好的可控性和稳定性。并且，本发明能够在桌面尺度的装置下产生超 强THz辐射。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190北京市海淀区中关村南三街8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810222553.6 【申请日】2008-09-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101677172A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101677172B 【授权公告日】2011-02-09 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01S3/00 【发明人】王伟民; 盛政明; 张杰 【主权项内容】1.一种产生超强太赫兹辐射的装置，包括： 一个气体填充管； 一个激光器，用于生成不对称激光脉冲并将所述不对称激光脉冲入射到 所述填充管，所述不对称激光脉冲传播方向与所述气体填充管的轴线方向相 同；所述不对称激光脉冲的能量高于所述填充管中气体的电离势能。 【当前权利人】中国科学院物理研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村南三街8号 【统一社会信用代码】12100000400012174C 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
