【摘要】 数据由整理 本发明公开了一种双镶嵌结构的形成方法，包括步骤：提供表面具有导电结构的衬底；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成通孔图形；以所述通孔图形为掩膜进行第一刻蚀；在已形成通孔开口的所述衬底上覆盖第二介质层；对所述第二介质层进行第二刻蚀；在进行第二刻蚀后的所述衬底上覆盖第三介质层；在所述第三介质层上形成沟槽图形；以所述沟槽图形为掩膜进行第三刻蚀，形成沟槽；去除形成沟槽后的所述衬底上残留的所述第二介质层和第三介质层；在所述通孔开口和沟槽内填充金属，形成双镶嵌结构。采用本发明的双镶嵌结构的形成方法，可以避免采用现有方法形成的双镶嵌结构中出现的斜坡及凸起问题，提高了双镶嵌结构的形成质量。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810225759.4 【申请日】2008-11-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740476A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740476B 【授权公告日】2012-05-16 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/70 【发明人】孙武; 尹晓明; 沈满华 【主权项内容】一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供表面具有导电结构的衬底；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成通孔图形；以所述通孔图形为掩膜进行第一刻蚀，在所述第一介质层内形成通孔开口；在已形成通孔开口的所述衬底上覆盖第二介质层，且其厚度至少填满所述通孔开口；对所述第二介质层进行第二刻蚀，至衬底上所述通孔开口以外的区域曝露出所述第一介质层；在进行第二刻蚀后的所述衬底上形成第三介质层；在所述第三介质层上形成沟槽图形；以所述沟槽图形为掩膜进行第三刻蚀，形成沟槽，且所述沟槽下方至少有一个所述通孔开口；去除形成沟槽后的所述衬底上残留的所述第二介质层和第三介质层；在所述通孔开口和沟槽内填充金属，形成双镶嵌结构。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】9 【他引次数】1.0 【被自引次数】3.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】9
