【摘要】 本发明公开了一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法，该方法包括：采用化学方法制备绝缘性金属氮化物薄膜；用Ar离子轰击该绝缘性金属氮化物薄膜表面，减小该绝缘性金属氮化物薄膜中氮元素的含量，将该绝缘性金属氮化物薄膜转变为金属性金属氮化物薄膜。利用本发明，可以有效地调节某些金属氮化物薄膜的原子组分，进而改性该薄膜的物理及电学特性，这使得利用化学合成方法制备金属氮化物栅电极的应用成为可能。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810226687.5 【申请日】2008-11-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740369A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740369B 【授权公告日】2011-12-07 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/3205; H01L21/336 【发明人】陈世杰; 王文武 【主权项内容】一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：采用化学方法制备绝缘性金属氮化物薄膜；用Ar离子轰击该绝缘性金属氮化物薄膜表面，减小该绝缘性金属氮化物薄膜中氮元素的含量，将该绝缘性金属氮化物薄膜转变为金属性金属氮化物薄膜。 【当前权利人】锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 【当前专利权人地址】广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】5 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】5
