【摘要】 本发明公开了并六噻吩及其衍生物以及它们的制备方法与应用。并六噻吩衍生物，结构式如式(I)所示，其中，R为H、烷基或芳基。本发明还提供了式(I)化合物的制备方法。本发明的合成路线简单、有效；以本发明的并六噻吩为有机半导体层制备的OFET的迁移率和开关比都很高(μ最高为0.06cm2/V·s，开关比为105)，在OFET中有良好的应用前景。 式(I) 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院化学研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100080 北京市海淀区中关村北一街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810222217.1 【申请日】2008-09-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101353352B 【公开公告日】2010-12-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101353352B 【授权公告日】2010-12-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C07D495/22; H01L51/30; H01L51/00 【发明人】刘云圻; 刘颖; 孙向南; 狄重安; 于贵 【主权项内容】一种制备式(I)所示化合物的方法，包括以下步骤：1)将3，6‑二溴并二噻吩的无水乙醚溶液冷却至‑10～‑20℃，加入正丁基锂的正己烷溶液，反应1～1.5h，形成混合体系a；2)在‑10～‑20℃下，将化合物II的无水乙醚溶液加入所述混合体系a中，反应1‑1.5h，然后在室温反应12～15h，得到化合物III；3)制备化合物III的无水乙醚溶液，冷却至0～‑10℃，加入正丁基锂的正己烷溶液，反应2～3h，然后在室温反应2～5h，得到有白色沉淀生成的溶液b；4)将无水氯化铜的无水乙醚溶液冷却至0～‑10℃，得到棕色溶液c，将所述溶液b加入所述溶液c中，进行氧化耦合反应，得到式(I)所示的化合物；其中，式(I)所示的化合物、化合物II、化合物III的结构式如下：式(I)化合物II 化合物III其中，R为H。re-FSB00000241121900011.tif, re-FSB00000241121900012.tif 【当前权利人】中国科学院化学研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村北一街2号 【统一社会信用代码】12100000400012238A 【被引证次数】1 【被自引次数】1.0 【家族被引证次数】4
