【摘要】 本发明涉及一种像素单元结构，包括：栅线和数据线，所述栅线和所述数 据线交叉并定义像素区域；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线电 连接，所述薄膜晶体管的源电极与所述数据线电连接；像素电极，所述像素电 极与所述薄膜晶体管的漏电极电连接；以及一对挡光条，所述挡光条位于所述 像素电极的两侧并且朝数据线方向延伸，至少一个所述挡光条包括多个段差缓 冲凸起，所述段差缓冲凸起朝第一方向凸起。本发明的像素单元，通过在挡光 条的像素电极侧设置多个段差缓冲凸起，打乱摩擦影区域内摩擦均匀度的变化 规则，从而在摩擦均匀度被打乱的摩擦影区域内防止产生漏光，从而减少了漏 光，有效地提高了液晶显示装置的质量。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810119321.8 【申请日】2008-09-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101666947A 【公开公告日】2010-03-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101666947B 【授权公告日】2011-04-13 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G02F1/1362; G02F1/133; H01L27/12; G02F1/13 【发明人】林炳仟 【主权项内容】1、一种像素单元结构，包括：栅线和数据线，所述栅线和所述数据线交 叉并定义像素区域；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线电连接， 所述薄膜晶体管的源电极与所述数据线电连接；像素电极，所述像素电极与 所述薄膜晶体管的漏电极电连接；以及一对挡光条，所述挡光条位于所述像 素电极的两侧并且朝数据线方向延伸， 其特征在于，至少一个所述挡光条包括多个段差缓冲凸起，所述段差缓 冲凸起朝第一方向凸起。。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【家族引证次数】4.0
