【摘要】 本发明公开了一种浅沟槽隔离区的形成方法及一种NMOS晶体管的制造方法，该浅沟槽隔离区的形成方法包括步骤：提供半导体衬底；对半导体衬底刻蚀形成沟槽；在沟槽内填充绝缘物质；进行退火，退火温度小于1000度；进行平坦化，露出半导体衬底。本发明利用在沟槽内填充绝缘物质步骤后的退火步骤中，调整退火的温度，从而减小填充绝缘物质对沟槽侧壁的压应力，从而也就减小了漏极区与导电沟道的压应力，使得MOS器件的漏极区流向半导体衬底的漏电流减小。。： 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810226386.2 【申请日】2008-11-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740460A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740460B 【授权公告日】2012-02-29 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/762; H01L21/8234; H01L21/336; H01L21/70; H01L21/02 【发明人】居建华 【主权项内容】一种浅沟槽隔离区的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；对半导体衬底刻蚀形成沟槽；在沟槽内填充绝缘物质；进行退火，退火温度小于1000度；进行平坦化，露出半导体衬底。 该数据由<>整理 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】3 【被自引次数】2.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】3
