【摘要】 本发明涉及一种具有失调校准的低功耗比较器，属于模拟电路领域，该比较器包括： 电容、前置放大器、锁存器，及多个开关；其中，输入信号通过开关S1，S2连接电容C1， C2的一端，同时分别通过开关S3，S4连接地，电容C1，C2的另一端分别连接前置放大 器的两端，开关S5，S6与前置放大器的输入、输出端相连，前置放大器的输出端与锁存 器相连；所述前置放大器主要由9个MOS管组成；其中，M1、M2、M3、M4、M9为NMOS 管，M5、M6、M7、M8为PMOS管；本发明通过合适的失调校准结构以及设计前置放大 器的结构实现了在100kHz的工作速度下，精度为10bit的比较器。与其他比较器相比，该 装置具有失调电压小，功耗小的特点，适合应用于低功耗的逐次逼近模数转换器。 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084北京市海淀区清华园 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810055879.4 【申请日】2008-01-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100593910C 【公开公告日】2010-03-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100593910C 【授权公告日】2010-03-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H03M1/10; H03M1/38 【发明人】乔峻石; 李冬梅; 李文杰 【主权项内容】1、一种具有失调校准的低功耗比较器，该比较器包括：第一、第二电容(C1、C2)、 前置放大器、锁存器，及第一至第六开关(S1～S6)；其中，输入信号通过第一，第二开 关(S1，S2)分别连接第一，第二电容(C1，C2)的一端，同时分别通过第三，第四开 关(S3，S4)连接地，第一，第二电容(C1，C2)的另一端分别连接前置放大器的两端， 第五，第六开关(S5，S6)与前置放大器的输入、输出端相连，前置放大器的输出端与 锁存器相连；其特征在于，所述前置放大器主要由9个MOS管组成；其中，M1、M2、 M3、M4、M9为NMOS管，M5、M6、M7、M8为PMOS管；所述各NMOS的衬底接 地，所述各PMOS的衬底接到电源电压(VDD)上；其连接关系为：NMOS管M9源极 接地，栅极接外部电压(IC1)；NMOS管M1与M2的源极连接在一起，同时与M9的漏 极相连；M1与M2的栅极分别与输入信号的两端(VIN2、VIN1)相连；M4的源极连接 M2的漏极，M3的源极连接M1的漏极，M3与M4的栅极均连接固定电平(VB2)；M6 的漏极连接M4的漏极和M8的栅极，M5的漏极连接M3的漏极和M7的栅极，M5与 M6的栅极均连在固定电平(VB1)上；M5与M6的源极连接在一起，同时与M7与M8 的漏极相连；M7和M8的源极均连接到固定电平(VDD)上。 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华园 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【引证次数】3.0 【被引证次数】2 【他引次数】3.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】27
