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一种硅灰石填料的无机复合与表面改性方法专利

发布时间:2026-06-12

【摘要】 本发明涉及一种硅灰石填料的无机复合与表面改性方法,属于矿物材料加工与应用领域。将一定量的硅镁铝粉添加到硅灰石填料中,在搅拌混合机中以一定速度加热搅拌复合,待升至一定温度时,加入一定量的硅烷偶联剂改性处理一定时间后即得到硅灰石无机复合与表面改性填料。这种硅灰石无机复合与表面改性填料具有填充增强或补强功能,可以显著提高PA6基复合材料的力学性能。 : 【专利类型】发明申请 【申请人】中国矿业大学(北京) 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083 北京市海淀区学院路丁11号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810224268.8 【申请日】2008-10-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101724175A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101724175B 【授权公告日】2011-05-11 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C08K9/06; C08K9/00 【发明人】郑水林; 王彩丽; 王丽晶; 刘桂花 【主权项内容】一种硅灰石填料的无机复合与表面改性方法,其特征在于其工艺步骤为:将一定量的硅镁铝粉添加到硅灰石填料中,在搅拌混合机中以一定速度加热搅拌复合,待升至一定温度时,加入一定量的硅烷偶联剂改性处理一定时间后即得到硅灰石无机复合与表面改性填料。 : 【当前权利人】上高县蒙特英矿纤有限公司 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400010937G 【被引证次数】10 【被自引次数】2.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】10

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  • 【摘要】本发明涉及集成电路制造中的光刻套准。为了解决目前集成电路制造中,由于介质层或金属层的覆盖导致的套准标记形貌不清晰的问题,本发明公开了一种套准标记及其制造方法。本发明提供的套准标记的制造方法包括步骤:在硅片衬底的介质层上形成第一套准标