【摘要】 本发明公开了一种低压铝栅工艺方法，对高浓度N型杂质注入区中N型 离子的掺杂采用注入掺杂的方法替代传统低压铝栅工艺方法中使用炉管扩散 掺杂的方法，使得N型离子的掺杂能够得到精确控制；并且使用LPTEOS工 艺替代传统低压铝栅工艺中的LTO工艺，使得生长出的LPTEOS介质层相对 致密，台阶覆盖性较好，产品批间均匀性较好，从一定程度上增强了工艺的稳 定性和工艺质量。另外，由于采用P阱光刻版进行VTN的光刻，不需要再单 独制作VTN光刻版，降低了工艺的成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】北大方正集团有限公司; 深圳方正微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810116072.7 【申请日】2008-07-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621032A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101621032B 【授权公告日】2011-01-26 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/8238; H01L21/285; H01L21/265; H01L21/70 【发明人】黎智; 谭志辉; 李如东; 李若加 【主权项内容】1、一种低压铝栅工艺实现方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤A、对衬底进行光刻，注入及推进形成P阱； 步骤B、通过光刻及注入制作高浓度N型杂质NPLUS注入区和高浓度P 型杂质PPLUS注入区； 步骤C、淀积四乙基原硅酸盐TEOS；并对淀积生长的低压四乙基原硅酸 盐LPTEOS介质层进行退火； 步骤D、反向PPLUS注入区光刻；去除曝光区域的所述LPTEOS介质层， 保留PPLUS上的介质层；去除光刻胶；栅氧生长； 步骤E、N型金属-氧化物-半导体NMOS阈值电压VTN光刻及注入； 步骤F、P型金属-氧化物-半导体PMOS阈值电压VTP普注并对注入的杂 质退火； 步骤G、制作接触孔、金属连接层和钝化保护层。 【当前权利人】深圳方正微电子有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园 【专利权人类型】其他有限责任公司; 有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110108101974963M; 91440300755682249E 【被引证次数】3 【被自引次数】3.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】3
