【摘要】 本发明涉及一种用于半导体加工反应腔室的密封结构，包括相互连接并共同组成反应腔室的盖板、腔室侧壁和静电卡盘，在所述腔室侧壁与盖板和/或静电卡盘的连接处设有卡件，卡件上设有密封件，在所述腔室侧壁与盖板或静电卡盘的连接处还设有至少一处曲面连接部，所述曲面连接部和所述连接处之间呈0～90度角。由于本发明通过改变真空端密封面之间缝隙的形状，使得缝隙的长度得到加长，即：延长了化学气体及等离子体到密封圈的路径，从而降低了到达密封圈的化学气体及等离子体的量，同时曲折的形状大大增加了化学气体及等离子体通过的难度，从而延长了密封圈的寿命。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810057930.5 【申请日】2008-02-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101515538B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101515538B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/00; C23C16/44; C23F4/00; H01J37/32; B01J3/03 【发明人】张风港 【主权项内容】一种用于半导体加工反应腔室的密封结构，包括相互连接并共同组成反应腔室(10)的盖板(20)、腔室侧壁(2)和静电卡盘(60)，在所述腔室侧壁(2)与盖板(20)和/或腔室侧壁(2)与静电卡盘(60)的两个连接处(30)设有卡件(3)，卡件(3)上设有密封件(4)，其特征在于：在所述腔室侧壁(2)与盖板(20)或静电卡盘(60)的连接处(30)还设有至少一处曲面连接部(5)，所述曲面连接部(5)和所述连接处(30)之间的角度大于0度小于90度。 【当前权利人】北京北方华创微电子装备有限公司 【当前专利权人地址】北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【引证次数】5.0 【被引证次数】2 【他引次数】5.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】14
