【摘要】 本发明涉及集成电路制造中的光刻套准。为了解决目前集成电路制造中，由于介质层或金属层的覆盖导致的套准标记形貌不清晰的问题，本发明公开了一种套准标记及其制造方法。本发明提供的套准标记的制造方法包括步骤：在硅片衬底的介质层上形成第一套准标记；在所述第一套准标记的正上方形成至少一层第二套准标记。本发明提供的套准标记包括：在硅片衬底的介质层上形成有第一套准标记；在所述第一套准标记的正上方形成有至少一层第二套准标记。本发明用于集成电路制造中的光刻套准，尤其是DM0S管的光刻套准。 【专利类型】发明授权 【申请人】北大方正集团有限公司; 深圳方正微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810112186.4 【申请日】2008-05-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101587824B 【公开公告日】2010-09-22 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101587824B 【授权公告日】2010-09-22 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L23/544; G03F7/20; G03F9/00 【发明人】谢丁生; 潘川; 方绍明; 刘鹏飞; 马万里; 潘光然 【主权项内容】一种套准标记的制造方法，其特征在于，包括步骤：在硅片衬底的介质层上形成第一套准标记；在所述第一套准标记的正上方形成至少一层第二套准标记；其中，所述硅片衬底的介质层上的各套准标记中心对齐。 【当前权利人】深圳方正微电子有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园 【专利权人类型】其他有限责任公司; 有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110108101974963M; 91440300755682249E 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】9
