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TFT-LCD驱动电路专利

发布时间:2026-06-10

【摘要】 本发明公开了一种TFT-LCD驱动电路,包括接口连接器,直流/直流转换 器,液晶面板,数据驱动芯片和扫描驱动芯片,所述接口连接器与直流/直流 转换器相连接,所述直流/直流转换器与所述数据驱动芯片和扫描驱动芯片相 连接,所述数据驱动芯片和扫描驱动芯片分别与液晶面板相连接,还包括: 数个电荷泵单元,所述电荷泵单元集成在所述数据驱动芯片上。本发明能够 降低液晶显示面板的驱动电路部分的功率损耗,节省驱动芯片的成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810222521.6 【申请日】2008-09-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101676782A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101676782B 【授权公告日】2013-05-15 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】G02F1/1362; G02F1/13; G09G3/36 【发明人】王洁琼 【主权项内容】1、一种TFT-LCD驱动电路,包括接口连接器,直流/直流转换器,液晶 面板,数据驱动芯片和扫描驱动芯片,所述接口连接器与直流/直流转换器相 连接,所述直流/直流转换器与所述数据驱动芯片和扫描驱动芯片相连接,所 述数据驱动芯片和扫描驱动芯片分别与液晶面板相连接,其特征在于,还包 括:数个电荷泵单元,所述电荷泵单元集成在所述数据驱动芯片上。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】11 【被他引次数】11.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】11

  • 【摘要】本发明涉及药物制剂领域,具体涉及一种复方坎地沙坦酯制剂及其制备方法。本发明用于治疗原发性高血压,联合用药具有很好的协同作用,在增加降压效果的同时或抵消由于各自药物引起的不良反应。【专利类型】发明申请【申请人】北京琥珀光华医药科技开发
  • 【摘要】本发明公开了一种半导体器件栅极的形成方法,包括:获取半导体基底上的栅极介质层厚度;根据栅极介质层厚度与着陆刻蚀时间的对应关系,由获取的栅极介质层厚度值确定着陆刻蚀时间;在所述栅极介质层上形成栅层;刻蚀所述栅层以形成栅极,所述刻蚀过程
  • 【摘要】 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法,其中,方法包括:步骤1、在基板上形成包括栅线、栅电极、有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道的图形;所述数据线包括主干部分和分支部分;步骤2、在完成步骤1的基板上沉积一层钝化层
  • 【摘要】本发明公开了一种光刻后注入离子的方法。本发明在半导体基底与光刻 胶之间增加了屏蔽层,用来屏蔽经光刻胶沟槽侧壁折射而损失能量的注入离 子。这样,损失一部分能量的离子不会注入至半导体基底中,保证了注入至 半导体基底中的离子能量均匀,从而
  • 【摘要】具有应力膜的CMOS器件的制造方法,包括:在具有第一区域和第二区域的半导体基底上依次形成栅极介质层和栅导电层;去除第二区域部分厚度的栅导电层;图形化栅导电层,在第一区域和第二区域分别形成第一栅极和第二栅极;在第一栅极和第二栅极侧壁分
  • 【摘要】本实用新型提供了一种固体燃料气化装置,其包括气化室和冷却净化室,冷却净化室 入口处设置有第一冷却介质分布器(5),其用于沿圆周方向向气化室的高温合成合气 注入低温冷却介质,从而使高温合成气体降温并从中去除固体杂质。。 【专利类型】实